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【8cm 涡轮单风扇、仲要 Dual Slot 设计】 GIGABYTE GeForce RTX 3090 Turbo 版新卡
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紧随 RTX 3080,在今个星期就会是旗舰级 RTX 3090 正式发佈,GIGABYTE 日前就在官方网站放上其中一款新卡「GeForce RTX 3090 TURBO 24G」的规格,这张卡的特别之处是目前首张採用单组涡轮散热风扇的 NVIDIA RTX 30 系列绘图卡,而厚度则只有双槽宽度,相比 NVIDIA GeForce RTX 3090 Founders Edition 及其他非公版 RTX 3090 体型细少。

GIGABYTE 全新「GeForce RTX 3090 TURBO 24G」绘图卡基于 NVIDIA 全新的 Ampere 架构,官方网站显示内建 1‎0496 个 CUDA Core、24GB GDDR6X 绘图记忆体,记忆体时脉为 1‎9500 MHz,提供 384 bit 记忆体介面、9‎36GB/s 记忆体频宽。输出部份提供了 2 组 DisplayPort 1.4a 及 2 组 HDMI 2.1,支援 7‎680x4320@60Hz 最大解析度及最多可 4 组萤幕同时输出,供电方面需要连接 2 组 8‎ pin,建议使用 7‎50W 电源供应器。

至于这张 GIGABYTE「GeForce RTX 3090 TURBO 24G」比较特别之处就是採用了全金属上盖设计的单组 80mm 涡轮鼓风扇散热,GIGABYTE 指出能够抽进更大的进气流量并结合均热铜板直接接触 GPU 设计、纯铜製鳍片与纯铜热管,快速将热源带离 GPU并提供高效能及稳定的系统运作。
【自主研发、投资过亿  自家手机 OS】 华为鸿蒙 2.0 底层照抄 Android 系统 ??
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美国制裁华为的禁令在美国时间 9 月 15 日正式生效,无论是手机操作系统还是晶片,华为都面临着巨大的挑战,虽然「断供」危机并不是一时三刻能够解决,不过华为就在制裁禁令生效前举行的开发者大会上,公佈了「华为秘密武器」鸿蒙 Harmony OS 2.0,不过在发佈了鸿蒙 2.0 不久,一位名为

:「鸿蒙 OS 2.0 兼容 Android 是真的,连包名都没改」,并指出鸿蒙 OS 还是 Android「换壳」而成。

根据网友 Twitter@ShinChven 在日前的一篇帖子以「鸿蒙 OS 2.0 兼容 Android 是真的,连包名都没改」为题,同时更附上鸿蒙OS 2.0 系统部份的 Microcode 微码,在鸿蒙 2.0 APP SDK 中的「AbilityShellProvider.class」部份出现了「android」的微码,怀疑是由 Android SDK 改成的,结果因为「照搬」失手改得不乾净仍然存在「android」的字样。
GPU 体质分 3 等级 温度、OC能力差异 GeForce RTX 3080 顶级体质 GPU 约 10%
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大家可能不知道,同一型号的晶片其实也会有体质的差异,好体质的晶片能以较低电压、较低温度运行,同时亦提供了更佳的 Boost Clock 时脉,差体质的电压较高、热到不成,更不要说超频能力了。

近日国外媒体透露关于晶片体质的秘密,GeForce RTX 3080 的 GA102-300 晶片体质差异被等成 3 等,最顶级体质大约佔 10%,厂商也会按照等级将 GPU 应用到不同的型号上。

据了解,NVIDIA 内部针对 GPU 晶片体质分为 3 个等级,
5,888 CUDA Cores、220W TDP GeForce RTX 3070 确定 10 月 15 日发售
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对比 GeForce RTX 3080、3090,主流玩家更关心 GeForce RTX 3070 何时上市,今日 NVIDIA 更新了 NDA 日期,其中 GeForce RTX 3070 确定在

,拥有 5,888 CUDA Cores、220W TDP,官方建议售价为 US$499,其性能可媲美 GeForce RTX 2080 Ti,非常吸引。

根据 NVIDIA 公佈的规格, GeForce RTX 3070 将会採用 SAMSUNG 8nm 制程、GA104 绘图核心、内建1.74亿个电晶体,全新 Ampere GPU 微架构提供高达 5,888 CUDA Cores、184 Tensor Cores 及 46 个 RT Cores,核心时脉为 1.5GHz Base Clock、1.725 Boost Clock,256bit 记忆体介面但沿用 14Gbps GDDR6 记忆体颗粒,性能与 GeForce RTX 2080 Ti 相当接近。
有骨气 !! 不再依赖美国半导体设备 中芯年底前试产 40nm、三年内 28nm
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为降低美国对中国半导体行业的打撃,中芯国际 (SMIC) 正进行去美国化计划,在年底前在完全不使用外国技术及设备下,实现先进的 40nm 晶片试产,并且期待在 3年内生产更先进的 28nm 制程,消息震惊了全球科技界。

据「日经亚洲评论」消息指出,中国政府正努力减低中国半导体行业对美国的依赖,要求中芯国际进行中国化计划,要求尽快达至 100% 国产晶片供应链的目标。

消息指出,中芯国际已向中国政府提交了规划,会在今年底前在完全不使用美国设备下,进行先进的 40nm 晶片试产,并且在 3 年内提升至更先进的 28nm 制程,最终目标是实现国产资讯下可达成自家晶片生产。
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