俄罗斯智能手机开发商 Yota Devices 宣佈将于 3 日于英国伦敦正式发售 YotaPhone 2 ，这款智能手机因俄罗斯总统普京赠予中国国家主席习近平作为礼物而受到关注，现时己得悉其售价为 32,990 卢布折合约 4746.47 港元，不过此手机现时已成为国礼，令国内出现炒风。

YotaPhone 2 智能手机为全球首款採用双面屏幕智能手机，以 5 吋全高清主屏幕配合 4.7 吋 E-Paper 电子纸屏幕作辅助资讯显示，提供时计、天气或信讯提示等日常经常留意的功能，最大好处是採用电子纸的屏幕耗电量低，相比每次唤醒 LCD 主屏幕的耗电量大大减低，大大增强续航力。

其外型简约，尺吋为 144.9 x 69.4 x 8.95 mm ，重 145g ，机面上下端弧边设计，机底微弧贴合手形，而且底面亦採用 Corning Gorilla glass 3 强化玻璃覆盖，加强保护，耐磨防刮。同时，提供主镜头及自拍镜头，分别採用 800 万像素及 210 万像素。

CISCO 2 日向正在使用 Windows XP 的企业发出警告，指出 Windows XP 作业系统的 FAT32 系统格式存在漏洞能导致黑客 USB 设备获得全面控制权，建议企业尽快升级作业系统免受损失。

儘管 Microsoft 已在今年 4 月正式停止 Windows XP 的支援，但 Windows XP 的全球市场佔有率仍然高达 13.57% ，虽然己相较 10 月份 17.18% 明显下降，不过 Windows XP 仍然是不少企业正在使用的作业系统之一。

据了解， Windows XP 作业系统的 FAT32 系统格式漏洞，主要是来自 FastFAT.sys 驱动程式，黑客只需要使用带有恶意 FAT32 启动扇区的 USB 储存装置，就能获得所有的权限。

HKTV 与 Microsoft 进军网购平台， Xbox One 将联手 HKTV Mall 网购平台，集游戏网购睇电视于一身，让机迷体验一站式家庭娱乐购服物， Xbox One 的 HKTV 电视 App 将会于年底前登陆，令玩家可以一边打机，一边睇电视，更可以透过该平台选购 Xbox 产品，包括： Xbox One 主机、游戏及专用配件以及及其他逾 300 间商家的产品。

据 Microsoft 香港消费及零售业务市场主任周瑞娜小姐表示，与 HKTV 合作绝对是双赢方案，着新媒体的发展，巿民欣赏电视的方式以及购物模式亦不断改变，网购近几年亦有长促的发展，此次合作将会进一步丰富 Xbox Live 上的本地娱乐资讯，另一重点是积极推动网购的发展，用家可以一边打机，一边睇电视或一边进行网购，透过彼此的合作在港开拓一站式的网上营销商机。

HKTV 与 Microsoft 将会合作介绍游戏及週边的节目，玩家看到心仪的游戏或週边可以即时选购，更有专人亲自送上门，毋须舟车劳顿就可购得心头好，既快捷又方便，十分配合讲求效率的港人需要。打机可说是港人工作以外其中一项娱乐减压的活动，而暂时亦只有 Xbox 可以让玩家在家中同时可以做到打机、睇电视及购物的平台，对于本地的 Xbox 用家绝对是一项很好的增值服务。

3D 打印技术已走进殡仪业界，美国有一家火葬场为提升生意提供了 3D 打印技术，为顾客制作已故亲属的头像骨灰庵，亲属只需提供已故亲属不同角度的照片，透过电脑生成 3D 模型，最终採用陶土制成像真度高的头像。

火葬后骨灰会放置于 3D 模型制作的陶土头像内，最后以大理石基座封好，这家火葬场为了推销这项服务，更特别制作了美国现任总统奥巴马头像的骨灰庵样本，相信美国总统看到这则广告很大机会被气死。

现时已得悉，美国这家火葬场提供这项服务将会收取额外 2600-3000 美元的收费，制作时间约需要 10-14 日，亲属需要提交一定数目的相片进行 3D 模型制作，完成后会传送 3D 模型档案让家属确认，这家火葬场预期家族中有名气或代表性的亲友去世，已故亲属将会选择此一方法留为纪念。

英国 Glasgow University 正在研发可以进一步提升存储容量取代现有 NAND Flash 的物料，捨弃传统金属氧化物半导体改为採用多金属氧盐酸化合物，能同等佔用空间大幅提升储存能力高达 8 倍，将适用于智能手机、平板电脑以至更细小的智能装置等装置中。

智能装置的储存装置主要採用 NAND Flash ，採用金属氧化物半导体制程，这种制程现时已达至 15nm 水平，但要进一步突破至 10nm 以下将会碰到物理上的局限性，因此限制了装置大小以及储存空间，而且写入次数及寿命将会下降。

英国 Glasgow University 正在研究以分子物料扩展 NAND Flash 的存储装置空间，有别于现时採用金属氧化物半导体，改用多金属氧盐酸化合物，合作可发挥存储能力的分子，实验显示这种分子的结构稳定性和通电能力都符合要求，相较传统 NAND Flash 效提升储存空间高达 8 倍。